電力電子電源設(shè)備的制造特點(diǎn)是：非標(biāo)準(zhǔn)件多，設(shè)計(jì)周期長(zhǎng)、成本高、可靠性低、工作量大，而用戶要求制造廠生產(chǎn)的電力電子產(chǎn)品要實(shí)用 、可靠性要高，體積重量要小，成本要低。這就使生產(chǎn)廠家承受的壓力很大，迫切需要開(kāi)展集成電力電子模塊的研究開(kāi)發(fā)，使電力電子產(chǎn)品標(biāo) 準(zhǔn)化、模塊化，可制造性、規(guī)模生產(chǎn)、降低成本等目標(biāo)得以實(shí)現(xiàn)。

實(shí)際上，在電力電子集成技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程中，已經(jīng)經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件的模塊化、功率與控制電路的集成化、無(wú)源元件的集成(包括磁集成 技術(shù))等發(fā)展階段。

1)電力電子器件模塊

電力電子電路常常由多個(gè)電力電子器件組成，如一個(gè)雙向開(kāi)關(guān)至少需要兩個(gè)三端器件和兩個(gè)二極管組成;考慮到串/并聯(lián)、單相、三相半橋或 全橋開(kāi)關(guān)電路要用幾個(gè)，甚至幾十個(gè)開(kāi)關(guān)器件和一些輔助器件(如快速二極管)組成。電力電子轉(zhuǎn)換器的功率電子器件之間的互連線多、寄生電 感大。為了使其結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、加工方便，更為了縮短開(kāi)關(guān)器件之間的互連導(dǎo)線，減小電感，電力電子器件必須實(shí)現(xiàn)模塊化、集成化。將 若干個(gè)功率開(kāi)關(guān)器件和快速二極管組合成標(biāo)準(zhǔn)的電力電子器件模塊(Power Modu1e)，是集成電力電子技術(shù)發(fā)展進(jìn)程中最原始和最簡(jiǎn)單的集成化 、模塊化。逆阻(Reverse B1ocking，RB)IGBT的出現(xiàn)，使雙向IGBT開(kāi)關(guān)省去了兩個(gè)二極管，有利于組成矩陣轉(zhuǎn)換器模塊。

但是，電力電子器件模塊僅僅是若干電力電子器件的集成，還沒(méi)有與驅(qū)動(dòng)、控制、保護(hù)、檢測(cè)、通信等功能集成，有待于進(jìn)一步發(fā)展。

2)智能功率模塊

20世紀(jì)80年代開(kāi)發(fā)了智能電力電子模塊(Inte11igent Power Modu1e，IPM)將電力電子器件與驅(qū)動(dòng)、智能控制、保護(hù)、邏輯電路等集成封裝， IPM又稱(chēng)為智能電力電子集成電路(Smart Power IC)。

近幾年來(lái)的發(fā)展方向是將小功率系統(tǒng)集成在一個(gè)芯片上(Systemn Chip)，可以使電力電子產(chǎn)品更為緊湊，體積更小，也減小了引線的長(zhǎng)度， 從而減小了寄生參數(shù)。在此基礎(chǔ)上，可以實(shí)現(xiàn)一體化(A11 in ONe)，將所有元器件連同控制保護(hù)集成在一個(gè)模塊中。有報(bào)道稱(chēng)，美國(guó)有研究人員將小功率異步電動(dòng)機(jī)的運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)(包括逆變器、微處理器、控制保護(hù)電路)集成在電動(dòng)機(jī)內(nèi)，形成傳動(dòng)控制系統(tǒng)與電動(dòng)機(jī)的 一體化。

3)集成電力電子系統(tǒng)

20世紀(jì)90年代，隨著大規(guī)模分布電源系統(tǒng)的發(fā)展，IPM的設(shè)計(jì)觀念被推廣到更大容量、更高電壓的集成電力電子電路，并提高了集成度，稱(chēng)為 集成電力電子模塊(IntegratedPower E1ectronics Modu1e，IPEM)。將電力電子器件與電路、控制、以及檢測(cè)、執(zhí)行等元器件集成封裝，得到 標(biāo)準(zhǔn)的、可制造的IPEM模塊、既可用于標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)，又可用于專(zhuān)用特殊設(shè)計(jì)。優(yōu)點(diǎn)是可以快速高效地為用戶提供產(chǎn)品，顯著降低了成本，提高了 可靠性。

應(yīng)用了嵌人式電力電子半導(dǎo)體功率器件的多層集成封裝技術(shù)，可以把包括散熱板、基板、絕緣傳熱材料、功率母線、電力半導(dǎo)體功率器件、 銅層、陶瓷、集成無(wú)源元件、金屬層、表面貼裝芯片(驅(qū)動(dòng)、檢測(cè)及保護(hù)元件)等封裝在一起。

IPEM模塊的設(shè)計(jì)，既要考慮到電路的連接，也要考慮到熱流通路和散熱。過(guò)去功率半導(dǎo)體器件中芯片互連的傳統(tǒng)方法是鋁絲鍵合法，性能和 可靠性均比較差。電路靠導(dǎo)線連接，增大了寄生電感。現(xiàn)在IPEM模塊中用噴涂金屬層、表面貼裝金屬層等平面金屬化技術(shù)連通電路，可以使寄 生參數(shù)減到最小。