圖3展示了LM5041級聯(lián)式控制器和LM5100半橋驅動器組合而成的芯片組，用于設計雙級級聯(lián)式降壓饋電轉換器。該轉換器包含一個高壓降壓前級穩(wěn)壓器，用于在推挽電源變壓器級維持一個固定的電壓，這個變壓器級被用作“直流變壓器”，類似前文所述的IBC。通過設置變壓器匝數比，將預穩(wěn)壓電壓降至最終的輸出電壓。目前生產的級聯(lián)式轉換器能進行緊密的線路穩(wěn)壓，其線路輸入電壓范圍寬達4:1甚至更高。它還能提供優(yōu)異的輸出負載瞬時響應，同時消除了輸出濾波器電感器和電流傳感電阻器，這是降低成本和復雜性的另一個優(yōu)點。它的輸出電路具備回掃穩(wěn)壓器的簡單性和其他優(yōu)點。去掉輸出濾波電感器，便縮短了加載階躍變化的延遲，并且無需采用引起電壓回路錯誤的電感器。推挽直流變壓器持續(xù)在精確的50%占空比上驅動，從而產生連續(xù)不斷的電流至輸出端。這樣做不但提高了隔離變壓器核心的使用率，同時也降低了輸出元件的應力和干擾，使級聯(lián)拓撲結構非常適合于高輸出功率的應用。

圖4展示了推挽MOSFET漏極波形和降壓級開關節(jié)點(Vsw)。當兩個漏極均為低電平時，交迭時間便會顯示出來。推挽級的工作切換頻率是降壓級的一半。

圖5展示了雙級多輸出數字用戶環(huán)路(DSL)的電源應用，它使用了由LM5030推挽控制器驅動的一個功率較低的多輸出隔離變壓器，加上LM5642雙輸出電流模式降壓控制器。該電源提供了線路驅動器和放大器的兩種模擬電壓(典型值為±12V)，以及數字ASIC所需的幾種較低電壓(+5V、+3.3V、+1.8V、+1.5V)。LM5030被用作推挽轉換器的中心部件，把48V輸入電壓轉換成±12V，同時提供電絕緣。LM5642控制器構成負載點同步降壓轉換器，接收來自中間總線軌的+12V電力，并產生用于xDSL卡電子器件的多路低壓輸出。高性能雙輸出LM5642降壓控制器的每條通道只需要一對FET、一個小型輸出電感器和輸出電容器，以及幾個電阻器和電容器，構成了高效率、低成本的IBA解決方案。

下面的表1列出了美國國家半導體公司的一些新型高壓ABCD(模擬雙極CMOS DMOS)技術系列和應用，它們具有充足的擊穿電壓，有利于簡化通信電源轉換器的設計。被稱為ABCDXV1和ABCDXV2的兩種新技術增強了N通道DMOS功率晶體管、高壓PMOS器件和結隔離二極管的擊穿電壓，使它們能夠承受高達100V的直流輸入工作電壓，以便滿足通信電力系統(tǒng)標準中的瞬態(tài)電壓規(guī)范。這兩種新型平臺(XV1和XV2)是基于現(xiàn)有的45V ABCD150技術平臺，并分別提供80V和 100V擊穿電壓。

---利用美國國家半導體公司LM5000系列中的多種新型高壓高性能電源管理芯片組，可以迅速組裝通信用分布式電源總線架構和轉換器拓撲結構。從這些產品中挑選用于電源設計的產品時，需要考慮的平衡因素包括輸入電壓范圍、預期輸出數量、整體系統(tǒng)的電源效率要求，以及允許的卡的尺寸和面積大小。現(xiàn)代的先進高壓工藝技術促進了PWM控制器、開關穩(wěn)壓器和功率MOSFET門級驅動器的進步，現(xiàn)在這些元件可以被迅速組裝，構成輕巧而高效的DC/DC電源模塊。