數(shù)字電源遭哄搶各芯片大佬都怎么說

2015-02-02 17:26:33 大云網(wǎng)　點(diǎn)擊量：評論 (0)

數(shù)位電源應(yīng)用版圖正逐漸從高階的云端、電信設(shè)備，向下滲透至液晶電視、個人電腦及智慧家庭等一般消費(fèi)性應(yīng)用;為搶占市場大餅，數(shù)位電源晶片商已競相推出支援PMBus介面的解決方案，以及同時具備類比和數(shù)位電路的復(fù)

意法半導(dǎo)體(ST)資深行銷經(jīng)理Francesca Sandrini亦認(rèn)為，雖然性能正在大幅提升的MCU可能有助于數(shù)位電源市場規(guī)模擴(kuò)大，但是MCU方案只適用于發(fā)展相當(dāng)成熟穩(wěn)定的應(yīng)用市場，而對新的數(shù)位電源應(yīng)用領(lǐng)域影響甚微;因?yàn)樾碌臄?shù)位電源市場需要客制化的解決方案，而數(shù)位訊號處理器(DSP)或是現(xiàn)場可編程閘陣列(FPGA)則可滿足此需求。

微芯dsPIC DSC的GS系列正是為了全數(shù)位電源控制的需求所做的設(shè)計(jì)。這些裝置可以使用在非線性、預(yù)測和適應(yīng)控制運(yùn)算法以將電源效能增加至最大限度。DSC同樣讓客戶可以使用自己的控制技術(shù)并產(chǎn)生差異化方案，進(jìn)而創(chuàng)造凌駕競爭對手的產(chǎn)品價(jià)值。

另一方面，為了降低數(shù)位電源的進(jìn)入門檻，晶片商亦正積極發(fā)展開放式平臺，讓不懂?dāng)?shù)位設(shè)計(jì)的類比電源工程師，也能透過簡易的使用者介面快速上手，進(jìn)而設(shè)計(jì)出差異化的數(shù)位電源系統(tǒng)方案。

降低數(shù)位電源進(jìn)入門檻ST力拓開放式平臺

Sandrini表示，在數(shù)位電源市場上，成本并不是唯一擴(kuò)展市場的關(guān)鍵。傳統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)人員擁有很強(qiáng)的類比電源背景，基本上不會有人要求類比電源工程師撰寫軟體;相反地，軟體工程師則幾乎沒有電力電子設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)。不過，目前開發(fā)數(shù)位電源系統(tǒng)的辦法，是讓有經(jīng)驗(yàn)的電源工程師和軟體工程師合作，然而這導(dǎo)致開發(fā)人員的數(shù)量增加一倍，僅有為數(shù)不多的企業(yè)能夠承擔(dān)如此龐大的研發(fā)經(jīng)費(fèi)。

Sandrini進(jìn)一步剖析，如果想要真正地推廣數(shù)位電源技術(shù)，對于那些原本熟悉電磁設(shè)計(jì)和印刷電路板布局而不懂繪圖使用者介面(軟體發(fā)展工具)的工程師，晶片商必須針對他們的不足提供能夠使用的數(shù)位電源解決方案，使其毋須自行動手寫軟體代碼，即可獲得數(shù)位電源的技術(shù)優(yōu)勢。如此一來，方能進(jìn)一步降低進(jìn)入數(shù)位電源市場的技術(shù)門檻。

有鑒于此，意法半導(dǎo)體針對電源推出專用的數(shù)位控制平臺--STNRG，該平臺整合硬體周邊設(shè)備和相關(guān)應(yīng)用軟體代碼，在不久前又針對無線充電推出數(shù)位控制平臺--STWBC，此為一個內(nèi)建專用韌體的封閉式平臺。

據(jù)了解，STNRG平臺在單一晶片上整合數(shù)位晶片和功率區(qū)塊，其中數(shù)位晶片內(nèi)建韌體(特定開關(guān)式電源專用韌體)。意法半導(dǎo)體不僅提供數(shù)位控制器、韌體和高壓驅(qū)動電路，還提供金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)和整流管，期能成為一站式供應(yīng)商。Sandrini堅(jiān)信，透過各種簡化開發(fā)流程的應(yīng)用平臺，將會為意法半導(dǎo)體帶來競爭優(yōu)勢，使該公司的數(shù)位電源產(chǎn)品受到客戶青睞。

另一值得注意的是，提升數(shù)位電源系統(tǒng)的單位功率密度(Power Density)，可謂是數(shù)位電源相關(guān)供應(yīng)商目前有志一同所競逐的目標(biāo);而為了達(dá)到此目的，新元件、新技術(shù)的應(yīng)用開發(fā)也須加快腳步;其中，氮化鎵(GaN)MOSFET應(yīng)用正漸露鋒芒。

提高數(shù)位電源功率密度GaN MOSFET應(yīng)用受矚目

為提升數(shù)位電源系統(tǒng)單位功率密度，包括德州儀器等電源晶片大廠已全力投入GaN MOSFET的應(yīng)用效能研究?，F(xiàn)階段，GaN MOSFET在功耗、導(dǎo)通電阻及電源轉(zhuǎn)換效率等方面，表現(xiàn)皆已可超越傳統(tǒng)MOSFET方案，但要大量商用仍須克服制程及成本等問題。

責(zé)任編輯：葉雨田

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