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位錯引起的缺陷與富鋰電位衰減的關(guān)系

2018-07-25 17:41:22 能源學(xué)人  點擊量: 評論 (0)
原位布拉格相干衍射成像(BCDI)技術(shù)直接觀察到充電過程中富鋰層狀氧化物內(nèi)部位錯的形成;

原位布拉格相干衍射成像(BCDI)技術(shù)直接觀察到充電過程中富鋰層狀氧化物內(nèi)部位錯的形成;

位錯引起的缺陷與電壓衰減之間存在聯(lián)系,研究表明LRLO中的電壓衰減是可逆的;

設(shè)計了一條通過高溫退火(> 150°C)重新恢復(fù)材料超結(jié)構(gòu)(也稱超點陣)的策略。

富鋰層狀氧化物(LRLO)是下一代鋰離子電池正極材料的主要候選者。其理論容量高達300 mAh/g,但電壓的快速衰減阻止了其容量的有效發(fā)揮,嚴(yán)重阻礙了LRLO的應(yīng)用。因此對電壓衰減的支持機制的理解迫在眉睫。近日,加州大學(xué)圣地亞哥分校O.G. Shpyrko和Y. S. Meng教授使用operando三維布拉格相干衍射成像,直接觀察到LRLO納米粒子中移動位錯網(wǎng)絡(luò)的成核,證明缺陷與電壓衰減之間存在聯(lián)系,更表明LRLO中的電壓衰減是可逆的。這一工作已發(fā)表在Nature energy(IF=46.859)之上。

圖1. 在充電期間形成位錯網(wǎng)絡(luò)(a)在4.0V的電荷狀態(tài)下,在顆粒中未觀察到位錯;(b)在4.3V時,在鋰脫出過程中形成了兩個邊緣位錯;(c)4.4 V時出現(xiàn)位錯網(wǎng)絡(luò)

通過使用原位布拉格相干衍射成像(BCDI)技術(shù),作者發(fā)現(xiàn)當(dāng)充電到4.3V時,在納米粒子的主體中有兩個位錯形成。在隨后的充電過程中,位錯密度逐漸增加,在4.4V時出現(xiàn)位錯網(wǎng)絡(luò)。

圖2.在電化學(xué)充電過程中LRLO納米粒子的原位變化。(a)在充電期間穿過納米顆粒的平面中沿q的位移場的變化;(b)從a中的3D位移場計算的納米粒子內(nèi)部沿(001)方向(垂直于層)的應(yīng)變。

原位BCDI技術(shù)可使充電過程中內(nèi)部的納米粒子直接成像,應(yīng)變場分布可讓我們進一步深入了解支撐位錯形成的物理和電化學(xué)過程。不同的納米粒子的測量結(jié)果都表明在充電過程中顯示出多個位錯。與經(jīng)典的商業(yè)化層狀氧化物材料(LiNi0.80Co0.15Al0.05O2,'NCA')相比,盡管在NCA中也形成了位錯,但它們的數(shù)量明顯少于LRLO。

圖3. 在充電期間原位變化NCA納米顆粒。在充電期間原位捕獲的單個NCA顆粒沿(001)方向(垂直于層)的位移場(a)和應(yīng)變(b)

圖4. 層狀氧化物單顆粒的應(yīng)變能量圖。(a)圖2和3中所示的LRLO和NCA顆粒的部分應(yīng)變能;( b)Operando演化的相同粒子的位錯密度;(c)在第一次充電期間使用來自大量顆粒的X射線衍射原位測量的上部結(jié)構(gòu)衍射峰強度的演變。

通過測量單個納米顆粒中的位錯長度,計算LRLOO 4.44V時的位錯密度為1010 cm-2,因此作者認(rèn)為這會對材料的性能產(chǎn)生相當(dāng)大的影響,特別是對電壓衰減和氧活性的影響。

圖5. 恢復(fù)富鋰氧化物材料中的電壓的路徑。(a-c)由部分位錯誘導(dǎo)的氧層堆積修飾的示意圖,由部分位錯誘導(dǎo)的氧層堆積修飾的示意圖(a),兩個額外的氧層O3序列ABCABC(b)分解O1樣序列ABC BC ABC(c);(d)在吉布斯自由能圖中,邊緣共享八面體導(dǎo)致能量上最有利的配置。(e)Li-金屬作為陽極的富鋰層狀陰極的充放電電壓曲線;(f)在50個循環(huán))以及在熱處理之后結(jié)構(gòu)峰強度的演變;(g)在2032型半電池中測量的前50個循環(huán)(黑色至紅色符號)和熱處理后(藍色符號)的平均放電電壓,處理后恢復(fù)放電電壓。

盡管與材料滿電時的總?cè)萘肯啾龋瑧?yīng)變能可忽略不計,但線缺陷的成核通過擾亂氧層序列顯著改變了局部鋰環(huán)境,向O1相的部分過渡導(dǎo)致鋰和過渡金屬八面體位置之間的不利面共享,從而提高了系統(tǒng)的吉布斯自由能,因此作者假設(shè)由O1相缺陷的存在引起的自由能差異有助于電壓衰減。因為過量的鋰通過降低O3和O1之間的能量差來穩(wěn)定O3-和O1相結(jié)構(gòu)在單個位錯周圍的共存:Li-Li位點的面共享能量損失小于Li-TM位點的面共享能量損失。

作者發(fā)現(xiàn),一旦形成錯位,即使通過移出粒子或通過其他位錯的消融來消除位錯,超結(jié)構(gòu)也不可能恢復(fù)。在單粒子成像實驗中,觀察到的應(yīng)變致位錯形成電位高達4.4 V,并且原位粉末微應(yīng)變測量的應(yīng)變持續(xù)增長高達4.7 V。在循環(huán)過程中,超結(jié)構(gòu)逐漸消失,配合物變得部分無序,被困在亞穩(wěn)態(tài),形成在能量上不利的局部鋰環(huán)境。因此作者設(shè)計了一條通過高溫退火(> 150°C)重新恢復(fù)超結(jié)構(gòu)的策略,這對于恢復(fù)原始電壓曲線具有決定性作用。

A. Singer, M. Zhang, S. Hy, D. Cela, C. Fang, T. A. Wynn, B. Qiu, Y. Xia, Z. Liu,A. Ulvestad, N. Hua, J. Wingert, H. Liu, M. Sprung, A. V. Zozulya, E. Maxey, R.Harder, Y. S. Meng, O. G. Shpyrko, Nucleation of dislocations and theirdynamics in layered oxide cathode materials during battery charging, Natureenergy, 2018, DOI: 10.1038/s41560-018-0184-2

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