晶硅光伏組件輸出功率的衰減可分為兩個(gè)階段：

第一個(gè)階段，稱為初始光致衰減，即光伏組件的輸出功率在剛開始使用的最初幾天內(nèi)發(fā)生較大幅度的下降，但隨后趨于穩(wěn)定。導(dǎo)致這一現(xiàn)象發(fā)生的主要原因是P型(摻硼)晶體硅片中的硼氧復(fù)合體降低了少子壽命。

第二個(gè)階段，稱為組件的老化衰減，即在長期使用中出現(xiàn)的極緩慢的功率下降，產(chǎn)生的主要原因與電池緩慢衰減有關(guān)，也與封裝材料的性能退化有關(guān)。

晶硅組件廠家一般均提供25年功率質(zhì)保。一般承諾第10年末功率不低于初始值的90%，第25年末不低于初始值的80%。某些廠家可以提供線性衰減質(zhì)保，即：對于單晶硅組件，一般保證第一年衰減不超過3.5%，之后24年每年衰減不超過0.68%;對于多晶硅組件，一般保證第一年衰減不超過2.5%，之后24年每年衰減不超過0.7%。

非晶硅的衰減也可以分為兩個(gè)階段：

第一階段：初始光致衰減階段。非晶硅在最初使用的半年時(shí)間內(nèi)，光電轉(zhuǎn)換效率會大幅下降，最終穩(wěn)定在初始轉(zhuǎn)換效率的70%～85%左右。

非晶硅組件的上述現(xiàn)象被稱為Staebler-Wronski效應(yīng)，一般認(rèn)為是由于非晶態(tài)是一種亞穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)，晶體結(jié)構(gòu)是長程無序狀態(tài)，si-si共價(jià)鍵處于較高能量狀態(tài)，原子結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性差;在受到光能量輻射后，容易造成部分si-si共價(jià)鍵的斷裂，使膜層產(chǎn)生更多缺陷。非晶硅電池在強(qiáng)光下照射數(shù)百小時(shí)，電性能下降并逐漸趨于穩(wěn)定，下降幅度在15～30%左右。

由于初始光致衰減的幅度太大，因此非晶硅組件的標(biāo)簽功率為預(yù)測的光老化1000h(約半年)后的穩(wěn)定功率，而不是出廠功率。

第二個(gè)階段，老化衰減。即在長期使用中出現(xiàn)的極緩慢的功率下降，產(chǎn)生的主要原因與電池緩慢衰減有關(guān)，也與封裝材料的性能退化有關(guān)。

非晶硅組件廠家給出的功率質(zhì)保承諾一般與晶體硅組件相同。即：一般承諾第10年末功率不低于組件標(biāo)簽值的90%，第25年末不低于組件標(biāo)簽值的80%。