1.1射頻增強等離子體化學氣相淀積（RF-PECVD）

　　等離子體化學氣相淀積是在低壓化學氣相淀積的同時，利用輝光放電等離子對過程施加影響，在襯底上制備出多晶薄膜。這種方法是日本科尼卡公司在1994年提出的，其等離子體的產生方法多采用射頻法，故稱為RF-PECVD。其射頻電場采用兩種不同的耦合方式，即電感耦合和電容耦合[1]。

　　1.2甚高頻等離子體化學氣相淀積（VHF-PECVD）

　　采用RF-PECVD技術制備薄膜時，為了實現低溫淀積，必須使用稀釋的硅烷作為反應氣體，因此淀積速度有限。VHF-PECVD技術由于VHF激發的等離子體比常規的射頻產生的等離子體電子溫度更低、密度更大[2]，因而能夠大幅度提高薄膜的淀積速率，在實際應用中獲得了更廣泛的應用。

　　1.3介質層阻擋放電增強化學氣相淀積（DBD-PECVD）

　　DBD-PECVD是有絕緣介質插入放電空間的一種非平衡態氣體放電（又稱介質阻擋電暈放電或無聲放電）。這種放電方式兼有輝光放電的大空間均勻放電和電暈放電的高氣壓運行特點，正逐漸用于制備硅薄膜中[3]。

　　1.4微波電子回旋共振等離子體增強化學氣相淀積（MWECR-PECVD）

　　MWECR-PECVD是利用電子在微波和磁場中的回旋共振效應，在真空條件下形成高活性和高密度的等離子體進行氣相化學反應。在低溫下形成優質薄膜的技術。這種方法的等離子體是由電磁波激發而產生，其常用頻率為2450MHz，通過改變電磁波光子能量可直接改變使氣體分解成粒子的能量和生存壽命，從而對薄膜的生成和膜表面的處理機制產生重大影響，并從根本上決定生成膜的結構、特性和穩定性[4]。

　　2.1PECVD工藝的基本原理

　　PECVD技術是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上（即樣品放置的托盤）產生輝光放電，利用輝光放電（或另加發熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的工藝氣體，這些氣體經一系列化學反應和等離子體反應，最終在樣品表面形成固態薄膜。其工藝原理示意圖如圖1所示。

　　在反應過程中，反應氣體從進氣口進入爐腔，逐漸擴散至樣品表面，在射頻源激發的電場作用下，反應氣體分解成電子、離子和活性基團等。這些分解物發生化學反應，生成形成膜的初始成分和副反應物，這些生成物以化學鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態膜的晶核，晶核逐漸生長成島狀物，島狀物繼續生長成連續的薄膜。在薄膜生長過程中，各種副產物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。

　　2.2PECVD設備的基本結構

　　PECVD設備主要由真空和壓力控制系統、淀積系統、氣體及流量控制、系統安全保護系統、計算機控制等部分組成。其設備結構框圖如圖2所示。

　　2.2.1真空和壓力控制系統

　　真空和壓力控制系統包括機械泵、分子泵、粗抽閥、前級閥、閘板閥、真空計等。為了減少氮氣、氧氣以及水蒸氣對淀積工藝的影響，真空系統一般采用干泵和分子泵進行抽氣，干泵用于抽低真空，與常用的機械油泵相比，可以避免油泵中的油氣進入真空室污染基片。在干泵抽到一定壓力以下后，打開閘板閥，用分子泵抽高真空。分子泵的特點是抽本體真空能力強，尤其是除水蒸汽的能力非常強。

　　2.2.2淀積系統

　　淀積系統由射頻電源、水冷系統、基片加熱裝置等組成。它是PECVD的核心部分。射頻電源的作用是使反應氣體離子化。水冷系統主要為PECVD系統的機械泵、羅茨泵、干泵、分子泵等提供冷卻，當水溫超過泵體要求的溫度時，它會發出報警信號。冷卻水的管路采用塑料管等絕緣材料，不可用金屬管。基片加熱裝置的作用使樣品升溫到工藝要求溫度，除掉樣品上的水蒸氣等雜質，以提高薄膜與樣品的附著力。

　　2.2.3氣體及流量控制系統

　　PECVD系統的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣，這些鋼瓶被放置在有許多安全保護裝置的氣柜中，通過氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。

　　在淀積時，反應氣體的多少會影響淀積的速率及其均勻性等，因此需要嚴格控制氣體流量，通常采用質量流量計來實現精確控制。

　　3.1設備常見問題及處理措施

　　3.1.1無法起輝

　　無法起輝原因和處理措施：

　　（1）射頻電源故障，檢查射頻源電源功率輸出是否正常。

　　（2）反應氣體進氣量小，檢查氣體流量計是否正常，若正常，則加大進氣量進行試驗。

　　（3）腔體極板清潔度不夠，用萬用表測量腔體上下極板的對地電阻，正常值應在數十兆歐以上，若異常，則清潔腔體極板。

　　（4）射頻匹配電路故障，檢查射頻源反射功率是否在正常值范圍內，若異常，則檢查匹配電路中的電容和電感是否損壞。

　　（5）真空度太差，檢查腔體真空度是否正常。

　　3.1.2輝光不穩

　　（1）電源電流不穩，測量電源供電是否穩定。

　　（2）真空室壓力不穩定，檢查腔體真空系統漏率是否正常，檢查腔體進氣量是否正常。

　　（3）電纜故障，檢查電纜接觸是否良好。

　　3.1.3成膜質量差

　　（1）樣片表面清潔度差，檢查樣品表面是否清潔。

　　（2）工藝腔體清潔度差，清洗工藝腔體。

　　（3）樣品溫度異常，檢查溫控系統是否正常，校準測溫熱電偶。

　　（4）膜淀積過程中壓力異常，檢查腔體真空系統漏率。

　　（5）射頻功率設置不合理，檢查射頻電源，調整設置功率。

　　3.1.4淀積速率低

　　（1）射頻輸入功率不合適，調整射頻功率。

　　（2）樣品溫度異常，檢查冷卻水流量及溫度是否正常。

　　（3）真空腔體壓力低，調整工藝氣體流量。

　　3.1.5反應腔體壓力不穩定

　　（1）檢查設備真空系統的波紋管是否有裂紋。

　　（2）檢查氣體流量計是否正常。

　　（3）手動檢查蝶閥開關是否正常。

　　（4）真空泵異常，用真空計測量真空泵的抽速是否正常。

　　3.2影響工藝的因素

　　影響PECVD工藝質量的因素主要有以下幾個方面：

　　3.2.1極板間距和反應室尺寸

　　PECVD腔體極板間距的選擇要考慮兩個因素：

　　（1）起輝電壓：間距的選擇應使起輝電壓盡量低，以降低等離子電位，減少對襯底的損傷。

　　（2）極板間距和腔體氣壓：極板間距較大時，對襯底的損傷較小，但間距不宜過大，否則會加重電場的邊緣效應，影響淀積的均勻性。反應腔體的尺寸可以增加生產率，但是也會對厚度的均勻性產生影響。

　　3.2.2射頻電源的工作頻率

　　射頻PECVD通常采用50kHz~13.56MHz頻段射頻電源，頻率高，等離子體中離子的轟擊作用強，淀積的薄膜更加致密，但對襯底的損傷也比較大。高頻淀積的薄膜，其均勻性明顯好于低頻，這時因為當射頻電源頻率較低時，靠近極板邊緣的電場較弱，其淀積速度會低于極板中心區域，而頻率高時則邊緣和中心區域的差別會變小。

　　3.2.3射頻功率

　　射頻的功率越大離子的轟擊能量就越大，有利于淀積膜質量的改善。因為功率的增加會增強氣體中自由基的濃度，使淀積速率隨功率直線上升，當功率增加到一定程度，反應氣體完全電離，自由基達到飽和，淀積速率則趨于穩定。

　　3.2.4氣壓

　　形成等離子體時，氣體壓力過大，單位內的反應氣體增加，因此速率增大，但同時氣壓過高，平均自由程減少，不利于淀積膜對臺階的覆蓋。氣壓太低會影響薄膜的淀積機理，導致薄膜的致密度下降，容易形成針狀態缺陷；氣壓過高時，等離子體的聚合反應明顯增強，導致生長網絡規則度下降，缺陷也會增加。

　　3.2.5襯底溫度

　　襯底溫度對薄膜質量的影響主要在于局域態密度、電子遷移率以及膜的光學性能，襯底溫度的提高有利于薄膜表面懸掛鍵的補償，使薄膜的缺陷密度下降。

　　襯底溫度對淀積速率的影響小，但對薄膜的質量影響很大。溫度越高，淀積膜的致密性越大，高溫增強了表面反應，改善了膜的成分。

　　以上是對PECVD設備遇到問題的一些體會，PECVD工藝是一門復雜的工藝，要保證淀積薄膜的質量，除了要保證設備的穩定性外，還必須掌握和精通其工藝原理及影響薄膜質量的各種因素，以便在出現故障時，能迅速分析出導致故障的原因。另外，對設備的日常維護和保養也非常重要。

　　參考文獻：

　　[1]陳建國，程宇航，吳一平，等.射頻-直流等離子體增強化學氣相淀積設備的研制[J].真空與低溫，1998，4(1)：30-34.

　　[2]H.Nakaya，M.Nishida，YTakeda，etal.PolycrystallineSiliconSolarCells[Z].1192，345-356.

　　[3]陳萌炯.RF-PECVD和DBD-PECVD制備a-Si：H薄膜的性能研究及其比較[D].浙江：浙江大學，2006.

　　[4]劉國漢，丁毅，朱秀紅，等.HW-MWECR-CVD法制備氫化微晶硅薄膜及其微結構研究[J].物理學報，2002，55(11)：6147-6150