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高效產業化MWT技術分析

2017-08-25 11:51:11 大云網  點擊量: 評論 (0)
業內普遍認為,未來有前景的晶體硅電池、組件的發展方向必然需要:1、具有適度規模的新技術,如黑硅、PERC、MWT、N-Si等等;2、薄硅片的使用;3、少銀或無銀電池的生產制造;4、更低的制造成本;5、易兼容其他產業化
業內普遍認為,未來有前景的晶體硅電池、組件的發展方向必然需要:1、具有適度規模的新技術,如黑硅、PERC、MWT、N-Si等等;2、薄硅片的使用;3、少銀或無銀電池的生產制造;4、更低的制造成本;5、易兼容其他產業化的先進技術。同時具備以上特性的MWT無疑是未來晶體硅產業化高效技術的重要力量之一。
 
據南京日托光伏科技股份有限公司董事長張鳳鳴博士介紹,常規電池片的正負電極分別位于電池片的正反兩面,而MWT電池片的正負電極均位于電池片的背面,這一技術被稱為MWT背面接觸技術。這一技術的實現需要:第一,在電池片上設計貫穿電池片的孔洞;第二,利用導電漿料將這些孔洞填充從而將正面的電極引到背面;第三,將引到背面的相應區域與背面電場進行隔離。由于無主柵,電池遮光面積減少、正面銀漿消耗更低、具有更高的轉化效率。
 
解決了焊帶焊接的問題是MWT電池的明顯優勢。據介紹,MWT焊帶的厚度大約在0.22毫米,目前使用的硅片的厚度大多在0.18-0.19毫米,因為硅片沒有柔性,經焊帶實現的電池片之間的串聯產生的應力影響了組件的可靠性,也帶來了組件封裝損失大、封裝密度低、外觀單一等問題。而MWT組件里電池片之間的串聯采用的是金屬導電線路,無應力,可靠性好,封裝損失小,封裝密度高,外觀更美觀,電池柵線圖案可以定制化。其組件封裝類似于半導體集成電路的裝配技術。由于不使用焊帶,更薄的硅片得以使用。
 
同時,MWT技術具有兼容性,可以兼容單、多晶以及P型、N型,兼容黑硅、PERC等電池技術。張鳳鳴預計,在未來5-10年兼容的MWT產品將占據80%以上的市場份額。
 
可靠數據證實,在實際應用中,MWT產品同樣表現優異。在對MWT組件與常規組件的可靠性測試對比中發現,在相同老化條件下,MWT組件的衰減較常規組件減少一半以上,并且在三倍加嚴的測試條件下,均表現出優異的抗老化性能。
 
2014年8月到2015年8月對應用在光伏系統中的10個MWT多晶組件和10個常規多晶組件進行為期一年的對比實驗。一年后,實驗組件重新在完全一樣的測試條件下再次測試各項性能參數,結果顯示:經過一年的運行,MWT背接觸組件的功率衰減為1.78W,常規組件的的功率衰減為4.58W,即MWT組件因無應力導致發電能力高出1.1%,而因采用導電背板導致的較低工作溫度使得MWT組件的發電能力高出1.6%。因此,MWT組件的總體發電能力比常規組件高出3%左右。張鳳鳴介紹,常規組件每瓦系統年發電量一般在1-1.3度左右,考慮到衰減,采用常規組件的系統整個25年生命周期的總發電量為23-30度左右,而采用MWT組件的系統多發電量為0.69-0.9度。
 
MWT組件的綜合優勢可以歸納為:功率更高;發電能力更強;可靠性更好;穩定性更好;發電成本更低;未來具備進一步的降低成本的巨大潛力。
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責任編輯:lixin

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