要有“中國芯”先要“中國造”
有效整合技術資源 提升企業創新能力
推進裝備制造業進步主要包括三個方面:一是提高產業創新能力。在國際競爭中培育有條件的集成電路裝備、制造、材料企業成為世界級企業,帶動產業良性發展,產業綜合實力和科技創新能力進入世界前列。二是提高科技創新能力。支持科研院所和高校,著力開展微電子前沿技術研究,加強技術儲備,引領我國微電子技術發展,實現產業技術水平與世界同步更新。三是提高機制創新能力。創造一個適應產業國際化趨勢又具有中國特色的重大專項實施運行機制,有效整合國際國內技術資源,提高企業的持續創新能力,培養世界一流集成電路產業人才隊伍。
實現上述目標需要一系列的組織措施。一是進行系統組織產業鏈協同創新,引導產業健康發展。首先應圍繞龍頭企業進行產業鏈整合,按照上下游配套的方式進行系統布局,以項目群方式支持協同創新研發。其次應組織產業技術創新聯盟,整合資源,共同發展,比如組成封測產業創新聯盟、TSV研發聯合體、材料產業鏈創新聯盟等。
二是加強以企業為主體的產業研發聯盟組織建設。鼓勵產學研用結合,鼓勵企業加強與院校合作,鼓勵院校圍繞企業需求開展技術攻關和創新研發工作。對競爭先導研發項目,以技術平臺和創新能力建設為核心,進行整體布局和組織整合,組織國內有優勢的科研院所、高校與骨干企業組成全國性聯盟,建設世界水平的開放式創新基地,鼓勵科研院所和高校與企業建立聯合實驗室。
三是大力推進知識產權戰略。在創新基礎上,鼓勵有策略的知識產權布局,形成“保護傘”,從“引進消化吸收再創新”轉為“基于自主創新的國際合作”。結合產業創新聯盟,推進知識產權共享,形成專利池。
拋棄“替代戰略” 立足“協同創新”
當然,目前仍然存在一些問題。一是國家對產業的投入不足。我國集成電路的整個產業規模小,基礎薄弱,產能嚴重不足的現狀,說到底還是投入嚴重不足。由于其他渠道投入少,致使科技專項實際上承擔了整個產業資源組織的主要平臺功能,超出了科技專項承載的范圍。我國集成電路產業還遠未達到可以支撐自我良性發展的規模,還需要下戰略決心,加大產業投入。
二是從業企業缺乏辦企業的精神,活力不足。很多企業發展戰略不明晰,缺乏清晰的發展路線圖和差異化的產品規劃,產品碎片化、同質化嚴重,沒有專職的研發機構,無力開展系統性的研發工作。企業內部仍然依賴“人治”,缺乏現代企業機制保障和組織執行力。
三是在系統-設計-制造-封測-裝備-材料的產業鏈條上,企業相互害怕,信心不足,存在下游欺負上游,一環怕一環的現象。
因此,中國集成電路制造的出路還在于“協同創新戰略”,拋棄“替代戰略”,從引進消化吸收的受制于人中解脫出來,立足終端市場的產品定義,立足自主創新,立足上下游聯手,由一環怕一環,變成一環拉一環,才可能建立起真正的門檻,建立起差異化的競爭力,贏得發展主動權。(中科院葉甜春)
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我國IC制造產業鏈協同創新取得長足進展
目前我國產業鏈協同創新已取得一定進展。自2008年以來,我國針對集成電路先進制造工藝和特色工藝做了重點布局,部分成果已形成產品進入市場銷售和推廣應用,在14nm~20nm先導研發上取得進展,初步形成知識產權體系。22nm后高k工藝、嵌入式存儲器、DFM模塊形成解決方案,研制出與主流工藝兼容的FinFET原型器件(全后棚HKMG)。在22nm和14nm技術代,完成專利申請1500多項(包括美國專利500多項)。
在高端封裝上實現跨越,一批高端封裝工藝開發成功,一些技術開始與國際領先廠商并駕齊驅。在高密度多層多芯片堆疊工藝技術上已達國際一流。8層及8層以上的芯片堆疊工藝技術,芯片厚度僅75μm;多芯片、高密度封裝技術,12英寸晶圓厚度減薄可達50μm,低焊線技術弧高低達30μm。
國產裝備實現從無到有的突破。2008年12英寸國產裝備是空白,當時只有2種8英寸設備,至2013年已有3種65nm設備、2種28nm設備實現銷售,6種28nm設備驗證接近完成。其中,前道裝備累計銷售168臺,后道封測設備累計銷售670臺(其中封裝光刻機銷售10臺),太陽能、LED裝備累計銷售390臺(套),零部件累計銷售3405件。上海中微的12英寸介質刻蝕機進入批量銷售;北方微12英寸硅刻蝕機、PVD進入銷售,TSV封裝與LED系列裝備開始批量銷售;上海微電子封裝光刻機等產品進入批量銷售;七星華創Low-k清洗機、氧化爐等產品開始進入銷售;北京中科信12英寸注入機等產品開始用戶試用考核;上海睿勵的光學檢測設備等產品開始用戶試用考核。
總體上來說,隨著國家重大專項的實施,集成電路產業技術取得長足進步,產業自主創新能力正在加速提升,產業鏈正在加速形成,一流的產業人才隊伍正在加速集聚,同時逐步摸索出一套適應國情的聯合攻關方式,得到各方肯定,如組織“產業鏈創新聯盟”,按產業鏈模式組織攻關;實行“用戶考核制”,下家考核上家、整機考核部件、市場考核產品。

責任編輯:何健
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