隨著大數(shù)據(jù)在各個領域的廣泛應用，數(shù)據(jù)中心的需求勻速增加，因而數(shù)據(jù)中心的電力消耗已經(jīng)占到全球?qū)幵鸽娏ο牡?%，預計電力消耗將會翻倍增長。數(shù)據(jù)中心對電力的巨大需求已經(jīng)成為制約大數(shù)據(jù)技術發(fā)展的瓶頸，也就是說降低凝好是大數(shù)據(jù)技術可持續(xù)發(fā)展面臨的最嚴峻的挑戰(zhàn)。

半個多世紀以來，支撐電力系統(tǒng)發(fā)展的硅功率電子技術面臨硅的“材料極限”已經(jīng)難于滿足類似數(shù)據(jù)中心服務器這類巨大能耗基礎設施節(jié)能降耗的需求。第三代半導體材料是一種開關損耗小，耐高溫工作能力強的新一代電子電子器件，是對傳統(tǒng)電力電子技術的革命。與傳統(tǒng)的硅器件相比，采用第三代半導體材料SIC、GaN無，器件能耗有望降低50%，又可工作在高極限環(huán)境溫度。因此，可大大節(jié)省基礎設備的冷卻費用，并見效設備體積和大小。SiC、GaN器件開關時間高于Si—IGBT的2—3倍，將使無源元件電容電感減小，提高頻率又可見效變壓器的體積和重量，使設備體積和重量減小。

移動互聯(lián)網(wǎng)基站是無線通信的基礎設施，基站的功率放大是無線通信系統(tǒng)中最耗電的器件。它消耗系統(tǒng)近80%的電功率，只有10%用于有信號的發(fā)射。基站的能量消耗的非常大，消耗大了就會發(fā)熱，就需要冷卻。隨著目前無限通訊的頻率升高，從2G馬上要向4G闊步，4G的覆蓋率范圍只有2G的1/16，所以說必須要提高功耗。如果說要提高4G的功耗就要耗電，無限信息技術迅速發(fā)展導致能耗的迅速攀升和電磁輻射日益增加構成了困擾無限信息技術可持續(xù)發(fā)展的主要挑戰(zhàn)。Si—LDMOS工作電壓只有28V，無限基站電子系統(tǒng)一般要求工作電壓為48V，為此必須靠多級轉換電路來提升功率電壓。

GaN射頻功率器件則可工作在50V，省去轉換電路造成的功耗損失，所以說GaN器件取代Si—LDMOS器件用于基站的功率放大器，效率可提高2—4倍。因此，在基站不變情況下，可提供更高傳輸速率，而且不需要強風冷，可安裝在室外。智能移動終端是這幾年來發(fā)展最快的，而且占據(jù)市場最大的產(chǎn)業(yè)。平板顯示是人機聯(lián)系和信息展示的窗口，沒有顯示技術就沒有現(xiàn)代信息技術，因為你的信息不能表述出來。所以移動終端的信息顯示顯得非常重要，目前移動終端顯示主要是靠液晶顯示。智能手機和平板電腦在信息的移動終端不是通電話，不是發(fā)短信，而是一個信息處理的平臺。幾乎所有的信息功能都可以通過互聯(lián)網(wǎng)轉移到這個平臺上完成。所以說將來可以無處不在的處理辦公事務，可以移動處理。這種狀況就需要超高的功耗，和顯影功能。近年來興起的IGZO寬帶隙半導體材料作為TFT驅(qū)動，功耗大大降低。目前的iPad、iPhone等智能移動終端平均工作負載下載系統(tǒng)(CPU+硬盤等)的能耗和顯示的能耗比例越為1：1，使用IGZO，個人電腦將節(jié)能25%，這對于iPad等靠電池工作的終端就很重要。